应变补偿1eV吸收带边GaInAsN/GaAs超晶格太阳能电池格层设计

• 作者: 何右青 唐吉玉 潘保瑞
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: Kronig-Penney模型 GaInAsN/GaAs超晶格 应变补偿 应变 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 432-437,422
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3355字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2017.03.017

摘要

本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型和形变势理论,从理论上探讨了GaInNAs/GaAs超晶格能带系统的能带结构,计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律、超品格的能量色散关系、应变造成的影响以及不同亚层厚度的系统禁带宽度.计算了超晶格的阱层材料在不同的组分选择下,GaInAsN/GaAs超晶格吸收带边为1eV的超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态.计算表明采用高In低N的GaInNAs材料作为GaInNAs/GaAs超晶格的阱层时更有利于获得高质量且较厚的GaInNAs/GaAs超晶格有源区,并且此时可以获得较好的应变补偿;进一步对超晶格太阳能电池的内量子效率进行了模拟计算,分析了1eV吸收带边GaInAsN/GaAs超晶格太阳能电池对提高整体光电转换效率的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉玉	华南师范大学物理与电信工程学院	39	90	5.0	7.0
2	潘保瑞	华南师范大学物理与电信工程学院	4	10	2.0	3.0
3	何右青	华南师范大学物理与电信工程学院	5	1	1.0	1.0