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摘要:
为了制备高效的MoSi/SiO2/Si异质结太阳能电池,利用磁控溅射技术制备MoS2薄膜,并在硫气氛下对MoS2薄膜进行退火处理.分别用退火和未退火的MoS2薄膜制备MoS2/SiOz/Si异质结太阳能电池,研究了退火对MoS2薄膜的微观结构和MoS2/SiO2/Si异质结太阳能电池光电性能的影响.实验结果显示,相比于未退火的,经过退火处理的MoS2薄膜的拉曼峰半高宽(FWHM)变窄,峰强增强,显微荧光光谱中也出现明显的激子发光峰.由此表明,退火处理使MoS2薄膜由非晶向晶态转变,薄膜的体缺陷减少,异质结太阳能电池的开路电压和填充因子得到提升,器件转换效率从0.94%提高到1.66%.不同光照强度下的J-v测量和暗态的J-v测量结果表明,经退火处理的MoS2薄膜的异质结太阳能电池具有较高的收集电压和更接近于1的理想因子,这归因于退火导致MoS2薄膜的体缺陷的减少,近而降低了MoS2/SiO2/Si异质结太阳能电池器件的体缺陷复合.
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文献信息
篇名 基于薄膜退火的MoS2/SiO2/Si异质结太阳能电池光伏性能提高
来源期刊 光学精密工程 学科 工学
关键词 太阳能电池 MoS2薄膜 退火 光伏性能
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 现代应用光学
研究方向 页码范围 597-602
页数 6页 分类号 TM914.42|O475
字数 2767字 语种 中文
DOI 10.3788/OPE.20172503.0597
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张彬 河北大学物理科学与技术学院 32 92 5.0 8.0
2 于威 河北大学物理科学与技术学院 91 346 9.0 13.0
3 许贺菊 河北大学物理科学与技术学院 7 31 3.0 5.0
5 张瑜 河北大学物理科学与技术学院 15 38 3.0 6.0
8 丛日东 河北大学物理科学与技术学院 7 10 2.0 3.0
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光学精密工程
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1004-924X
22-1198/TH
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-166
1959
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