新技术或将颠覆DRAM产业现有格局

• 作者: 刘观信
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 半导体存储器 DRAM 垂直分层晶闸管
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 创新应用
• 页码范围: 60-61
• 页数: 2页
• 分类号: TP333
• 字数: 1994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.02.016

摘要

Kilopass Technology宣布推出垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor)技术,简称VLT技术.据Kilopass称,该技术集低成本、低功耗、高效率、易制造等诸多优点于一身,有可能颠覆目前的DRAM产业格局.

作者信息

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1	刘观信		1	0	0.0	0.0