吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响

• 作者: 周虹君 高一文
• 来源期刊: 西南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 外延石墨烯 半导体基底 态密度 能隙 吸附
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 27-33
• 页数: 7页
• 分类号: O481
• 字数: 4004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13718/j.cnki.xsxb.2017.03.005

摘要

利用抛物型电子能谱模型,求出了半导体基底的态密度和半导体基底上形成的外延石墨烯的态密度,并与理想单层石墨烯的态密度相比较,分析外延石墨烯态密度特点和能隙产生的条件.以Si基底上形成的外延石墨烯为例,论述了外延石墨烯态密度按能量分布的特点和吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响.结果表明:①外延石墨烯的局域态密度曲线与理想单层石墨烯和基底的态密度曲线不同,它不具有对零能量的左右对称性;②吸附不仅使理想单层石墨烯和半导体基底的态密度曲线对零能量的左右对称性受到破坏,而且改变了石墨烯的能隙宽度;③外延石墨烯的能隙宽度随着半导体基底与石墨烯相互作用能的增大而增大,但变化较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高一文	重庆文理学院教学部	12	6	1.0	1.0
2	周虹君	重庆文理学院电子电气工程学院	17	16	3.0	3.0