T型三电平逆变器的器件损耗分析

• 作者: 夏玲芳 李安平 杨辉雯 王雨 马灿
• 来源期刊: 中国科技投资
• 关键词: T型三电平逆变器 IGBT 开关损耗 导通损耗
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 机械与工艺
• 页码范围: 264-265
• 页数: 2页
• 字数: 1638字
• 语种: 中文

摘要

T型三电平逆变器由于其开关器件少,调制策略简洁,换流路径一致,效率高等优点,近年来成为研究热点,本文对其工作原理和调制策略进行了分析,根据电路中开关器件的工作状态给出了简化的开关波形,研究了开关器件的损耗,最后在不同的开关频率和功率下,计算了损耗结果,分析了影响电路中器件开关损耗和导通损耗的因素,对于提高逆变器的效率具有积极意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏玲芳		5	4	1.0	2.0
2	王雨		2	0	0.0	0.0
3	李安平		7	4	1.0	2.0
4	马灿		2	0	0.0	0.0
5	杨辉雯		1	0	0.0	0.0