基于耦合忆容模拟器的双非门振荡电路

• 作者: 于东升 周知 朱旺 朱虹
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 耦合行为 忆容特性 忆容模拟器 双非门振荡器
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 171-177
• 页数: 7页
• 分类号: TM132
• 字数: 3168字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2018.1.171

摘要

通过在多谐振荡电路中引入忆容模拟器,提出一种磁通控制型耦合双忆容器模拟电路,并从理论上推导出其忆容值与磁通之间的数学关系.在此基础上,进行了基于耦合忆容模拟器的双非门多谐振荡器及其动态特性的研究.因耦合作用的影响,此电路呈现出有别于传统双非门振荡器的输出特性,其可用于电力电子变换器的驱动和信号测试.为了证明耦合忆容模拟器与基于其的双非门振荡电路的可行性,搭建硬件实验电路并进行了测试,实验结果与仿真结果保持一致,证实了理论分析的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于东升	中国矿业大学电气与动力工程学院	17	97	5.0	9.0
2	朱旺	中国矿业大学电气与动力工程学院	3	9	1.0	3.0
3	周知	中国矿业大学电气与动力工程学院	2	2	1.0	1.0
4	朱虹	中国矿业大学电气与动力工程学院	2	1	1.0	1.0