基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路

• 作者: 吴思聪 毛陆虹 谢生 谷由之 高谦
• 来源期刊: 天津大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光接收机 跨阻放大器 改进型Cherry-Hooper 直流偏移消除电路 锗硅双极-互补金属-氧化物-半导体
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 57-63
• 页数: 7页
• 分类号: TN433
• 字数: 3267字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11784/tdxbz201612053

摘要

基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对 Cherry-Hooper 结构进行了改进,设计出一种三级级联的限幅放大器,而直流偏移消除电路则使用了差分有源密勒电容(DAMC)来替代传统的片外大电容,提高了电路集成度和稳定性.版图后仿结果表明,在探测器等效电容为300,fF 的情况下,光接收机前端电路的跨阻增益为97,dB,-3,dB 带宽为11.7,GHz,等效输入噪声电流小于14.2,pA/ Hz,芯片核心面积为720,μm×700,μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电气自动化与信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	谢生	天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室	68	232	7.0	11.0
3	谷由之	天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室	3	9	2.0	3.0
4	吴思聪	天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室	2	9	2.0	2.0
5	高谦	天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室	2	9	2.0	2.0