SiC在辐射场中的物理特性和光谱研究

• 作者: 刘玉柱 尹文怡 张翔云 李炳生 秦朝朝
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC 辐射场 光谱 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 原子、分子结构与光谱
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: O561.1
• 字数: 2846字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2018.01.001

摘要

本文采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-311G+ +(d,p)基组水平上优化了不同外电场(0-0.04a.u.)下碳化硅分子的基态稳定构型,在此基础上利用同样的方法计算了碳化硅分子的分子结构、偶极矩、总能量、能隙以及红外光谱、拉曼光谱、紫外-可见吸收光谱强度.结果表明,在外电场的作用下,分子结构变化明显,与电场呈现强烈的依赖关系.碳化硅分子键长一直在增大,电偶极矩先减小后增大,分子总能量先增大后减小,能隙EG先减小后增大再减小再增大,红外光谱吸收峰出现红移现象,拉曼光谱出现蓝移现象.随着外电场的加强,分子紫外可见吸收光谱振子强度出现先增大后减小的反复变化,其波峰也出现蓝移现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李炳生	中国科学院近代物理研究所	18	66	5.0	7.0
2	尹文怡	南京信息工程大学物理与光电工程学院	6	5	1.0	2.0
3	刘玉柱	南京信息工程大学物理与光电工程学院	25	15	2.0	2.0
4	秦朝朝	河南师范大学物理与电子工程学院	20	13	2.0	2.0
5	张翔云	南京信息工程大学物理与光电工程学院	3	1	1.0	1.0