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退火对ZrO2介质MIM电容器性能的影响
退火对ZrO2介质MIM电容器性能的影响
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摘要：
文章对10nm和20nm两种厚度的ZrO2介质金属-绝缘体-金属（MIM）电容器在退火条件为420℃下（在N2/H2气氛中退火5min）前后的性能作了对比研究。结果表明，退火后电容密度增加，对于10nm和20nm两种厚度的电容器，电容密度分别增加了33％和31％，同时漏电流密度降低近一个数量级，这是因为退火能消除介质层中的氧缺陷和其他杂质，而使漏电流减小。
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文献信息
| 篇名 | 退火对ZrO2介质MIM电容器性能的影响 | ||
| 来源期刊 | 上海建桥学院学报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | ZRO2薄膜 MIM电容 退火实验 | ||
| 年，卷（期） | shjqxyxb,（2） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 17-19 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | TB383 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
ZRO2薄膜
MIM电容
退火实验
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海建桥学院学报
主办单位：
上海建桥学院
出版周期：
季刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
上海市沪城环路1111号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
443
总下载数（次）
8
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