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摘要:
文章对10nm和20nm两种厚度的ZrO2介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容器在退火条件为420℃下(在N2/H2气氛中退火5min)前后的性能作了对比研究。结果表明,退火后电容密度增加,对于10nm和20nm两种厚度的电容器,电容密度分别增加了33%和31%,同时漏电流密度降低近一个数量级,这是因为退火能消除介质层中的氧缺陷和其他杂质,而使漏电流减小。
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文献信息
篇名 退火对ZrO2介质MIM电容器性能的影响
来源期刊 上海建桥学院学报 学科 工学
关键词 ZRO2薄膜 MIM电容 退火实验
年,卷(期) 2018,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 17-19
页数 3页 分类号 TB383
字数 语种
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张秋香 上海建桥学院机电学院电子工程系 4 7 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
ZRO2薄膜
MIM电容
退火实验
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海建桥学院学报
季刊
上海市沪城环路1111号
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443
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