Al2O3(0001)邻晶面上基底温度对 PTCDI-C5岛分布的影响

• 作者: 吴森 孙立东 李煜溪 李艳宁 胡小唐 胡春光 魏亚旭
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: PTCDI-C5 氧化铝 基底温度 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 54-58
• 页数: 5页
• 分类号: TB322|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13494/j.npe.20170011

摘要

在α-Al2O3(0001)表面研究了N,N′-二戊基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺(PTCDI-C5)薄膜形貌与基底温度之间的关系.在背景真空度低于6×10 -7Pa的超高真空腔中,利用分子束外延方法在基底上生长标称厚度为0.6 nm的PTCDI-C5薄膜,薄膜生长过程中的基底温度分别被控制在25 ℃、37 ℃和61 ℃.生长结束后,利用原子力显微镜(AFM)轻敲模式在大气环境下对薄膜形貌进行离线表征.AFM图像显示在Al2O3基底表面,PTCDI-C5分子形成岛,而且PTCDI-C5岛的排列与基底温度之间呈现一定关系.本文实验条件下,在25 ℃和37 ℃之间存在一个基底温度阈值.在薄膜生长过程中,当基底温度低于此温度阈值时,PTCDI-C5岛在基底表面随机排列;相反,当基底温度高于此温度阈值时,PTCDI-C5岛沿着Al2O3(0001)表面的台阶边缘分布.