掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响

• 作者: 付晨 晏伟静 牛孝友 王丽 王立坤 赵洪力 邱茹蒙 郁建元
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化锡薄膜 掺杂 导电机制 散射机理 光电性能
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 590-597
• 页数: 8页
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2018.04.19

摘要

二氧化锡(SnO2)是一种重要的透明导电金属氧化物半导体材料,掺杂可使其光电性能得到显著改善,拓展其应用领域.分析了SnO2薄膜的导电机制、载流子散射机理及近年来国内外学者对不同类型掺杂的SnO2薄膜的研究.掺杂引入的缺陷能级增加了载流子浓度,提高了薄膜的导电性.杂质离子散射和晶界散射是影响薄膜载流子迁移率的主要散射机制.光电性能严重依赖于掺杂元素的种类及掺杂量,多元共掺杂是极具发展潜力的方法.