GdI3:Ce闪烁体中子探测性能测试与改进研究

• 作者: 李勇平 王中庆 黄跃峰
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 闪烁体 中子探测 γ抑制 MonteCarlo模拟 线性吸收系数
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 365-370
• 页数: 6页
• 分类号: TL812.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2018.52.02.0365

摘要

为改善GdI3:Ce闪烁体在探测中子过程中的γ抑制能力,使用Geant4和XCOM计算了其γ线性吸收系数,并通过模拟计算与实验测量研究了铅屏蔽法抑制γ的有效性.结果表明:GdI3:Ce闪烁体在探测中子过程中易受低能γ射线的干扰;随着铅层厚度的增加,100keV~1MeV的γ射线对中子探测的干扰减小,而3~10MeV的γ射线的干扰呈先增加后减小的趋势.对252Cf中子源的实验测试发现,在碘化钆闪烁体外围添加铅层后,中子峰得以显现;随着铅层厚度的增加,中子峰内净计数减小,而净计数与本底计数的比值上升.模拟和实验结果均表明,在使用GdI3:Ce闪烁体探测中子时,应根据中子探测效率和信噪比的优化确定γ屏蔽铅层的厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李勇平	中国科学院上海应用物理研究所	18	89	5.0	8.0
2	黄跃峰	中国科学院上海应用物理研究所	14	183	6.0	13.0
3	王中庆	中国科学院上海应用物理研究所	1	1	1.0	1.0