利用有机磁效应研究热活化延迟荧光量子阱器件中的微观机制

• 作者: 汤仙童 潘睿亨 熊祖洪 胡叶倩 邓金秋 陈晓莉
• 来源期刊: 中国科学（技术科学）
• 关键词: 热活化延迟荧光 量子阱 电致发光 磁效应
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 745-754
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N092017-00289

摘要

采用具有反向系间窜越 (reverse intersystem crossing, RISC) 特性的热活化延迟荧光 (thermally activated delayed fluorescence, TADF) 材料制备了量子阱有机发光二极管, 测量了器件的磁电导 (magneto-conductance, MC) 和磁电致发光 (magneto-electroluminescence, MEL), 由此还可得到器件效率的磁效应 (Mη), 并利用这些磁效应特征曲线来研究器件中的微观过程.实验发现:室温下, 尽管无量子阱参考器件的MC表现出RISC特性和载流子对三重态激子的解离机制, 但量子阱器件的MC则只表现出三重态激子对载流子的散射机制;而且, 无量子阱参考器件的MEL和Mη都表现出了系间窜越 (ISC) 和三重态激子对的湮灭 (TTA) 的过程, 但量子阱器件的MEL则表现出ISC和三重态激子对载流子的散射机制, 且其Mη只表现出了ISC属性.随着温度从室温降至20 K, 量子阱器件和参考器件的ISC都增强, 但量子阱器件在20 K还出现了TTA过程, 而参考器件的TTA则在100 K后消失.我们提出根据量子阱器件和无量子阱器件的结构特性以及温度对F?rster能量转移和三重态激子的浓度与寿命的影响可以较好地解释这些实验现象.显然, 研究量子阱器件的磁效应, 不仅为发光器件提供设计思路, 同时还可加深对有机磁效应的认识.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓莉		23	86	5.0	9.0
2	熊祖洪		60	93	5.0	9.0
3	邓金秋		8	0	0.0	0.0
4	汤仙童		11	0	0.0	0.0
5	潘睿亨		10	0	0.0	0.0
6	胡叶倩		10	0	0.0	0.0