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摘要:
以GaN微米柱为平台,计算了激子极化激元的Gross-Pitaevskii方程(GP方程).通过计算,初步分析了激子极化激元凝聚态维持稳定的时间,同时与GaAs材料制备的微腔进行了对比,讨论了失谐、耗散速率以及拉比分裂等参数对激子极化激元凝聚态稳定性的影响,发现了随着失谐参数的增大,激子极化激元凝聚态保持稳定的时间逐步延长.当失谐△=±75时,稳定时间达到30 ps以上,且不再大幅变化.由于选用的是宽禁带半导体材料GaN制备的微米柱,因此拉比分裂值相比GaAs等材料来说非常大,对于常温下形成激子极化激元凝聚态提供了充足的条件.
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文献信息
篇名 GaN微米柱中激子极化激元凝聚态的稳定性分析
来源期刊 光学与光电技术 学科 物理学
关键词 Gross-Pitaevskii万程 GaN微米柱 激子极化激元 失谐 耗散速率 拉比分裂
年,卷(期) 2018,(2) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 96-102
页数 7页 分类号 O469
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 任元 航天工程大学航天装备系 14 11 2.0 2.0
2 王华 航天工程大学航天装备系 5 1 1.0 1.0
3 林源 航天工程大学航天装备系 1 0 0.0 0.0
4 陈海军 航天工程大学航天装备系 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
Gross-Pitaevskii万程
GaN微米柱
激子极化激元
失谐
耗散速率
拉比分裂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学与光电技术
双月刊
1672-3392
42-1696/O3
大16开
武汉市阳光大道717号
38-335
2003
chi
出版文献量(篇)
2142
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