阵列基板栅极制程的Cu腐蚀研究

• 作者: 刘丹 刘涛 吕俊君 周禹 李晨雨 李路 王任远 王百强 秦刚 蔡卫超 陈国良 饶毅
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: Cu电极 Cu腐蚀 电化学效应 刻蚀工艺 剥离工艺
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 717-724
• 页数: 8页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 3131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20183309.0717

摘要

在大尺寸液晶显示器的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)TFT工艺技术中,Cu正逐步取代Al作为电极材料.与Al电极制程相比,在进行栅极(Gate)制程时Cu容易发生腐蚀,这会降低产品良率.本文结合ADS(Advanced Super Demension Switch)显示模式下0+4掩膜板(mask)技术的Gate刻蚀制程和1+4掩膜版技术Gate光刻胶(Photo Resist,简称PR)剥离制程的Cu腐蚀现象进行分析,结合实验验证,确定Cu腐蚀原因,最终提出改善方案.实验结果表明:0+4mask技术的Gate制程中,ITO刻蚀液所含的HNO3会使MoNb/Cu结构电极的Cu发生电化学腐蚀;将电极结构更改为单Cu层则可以避免电化学腐蚀.在1+4mask技术的PR剥离(Strip)制程中,基板经历的剥离时间长或进行多次剥离或在剥离设备中停留,均会引起Cu腐蚀;增加剥离区间与水区间空气帘(Air Curtain)吹气量 、增加TFT基板在过渡区间(H2 O与剥离液接触的区间)的传输速度,管控剥离液使用时间等措施可以缓解Cu腐蚀.