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摘要:
设计了一种基于0.18 μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺的94 GHz频段宽带片上天线.该天线采用改进的单板子天线形式,以实现较宽的阻抗带宽.天线馈电形式采用共面集成波导(CPW)馈电结构,该结构便于毫米波天线探针台测试系统测试.此外,通过采用全波仿真软件HFSS,对天线衬底尺寸对天线阻抗和辐射性能的影响进行对比分析.所设计的天线工作频带(|S11 |≤-10 dB)为74~117.6 GHz,94 GHz频点处的增益为1.35 dBi.该天线具有工作频带宽、辐射性能好等特性,可实现天线与IC芯片的一体化片上集成,满足宽带无线通信系统或毫米波雷达系统高集成度、小型化的应用需要.
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文献信息
篇名 基于CMOS工艺毫米波宽带片上天线
来源期刊 雷达科学与技术 学科 工学
关键词 毫米波 硅基片上天线 0.18 μm互补金属氧化物半导体 宽带天线
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 451-456
页数 6页 分类号 TN820
字数 2713字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-2337.2018.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王磊 2 1 1.0 1.0
2 刘涓 4 3 1.0 1.0
3 张豪 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
毫米波
硅基片上天线
0.18 μm互补金属氧化物半导体
宽带天线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
雷达科学与技术
双月刊
1672-2337
34-1264/TN
大16开
安徽省合肥市9023信箱60分箱
2003
chi
出版文献量(篇)
1971
总下载数(次)
3
总被引数(次)
10892
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