高可靠性Cu BCE a-IGZO TFTs的制作

• 作者: 李珊 王晓 葛世民
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管 215.9mm(85in) 8K4K GOA
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 925-930
• 页数: 6页
• 分类号: TN141.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20183311.0925

摘要

背沟道刻蚀型(BCE)非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管(a-IGZO TFT)具有工艺简单、寄生电容小以及开口率高等优点,但BCE IGZO器件背沟道易受酸液和等离子体损伤,进而引起TFT均匀性和稳定性等方面问题,随着GOA技术的导入,对T FT器件电学性能的均匀性和稳定性提升的要求也日益迫切,因此开发高信赖性BCE IGZO T FT是技术和市场的迫切要求.本文主要分析了基于IGZO的背沟道刻蚀型薄膜晶体管电学性质,通过优化钝化层材料,色阻材料以及GOA TFT结构等削弱因背沟道水汽吸附引起的器件劣化,偏压温度应力测试结果显示优化后的TFT展现了良好的稳定性——在80℃,栅极30 V负向偏压条件下,2000 s的ΔVth小于1 V.最终,利用优化的IGZO TFT制作了2159.mm(85 in)8K4K 120 Hz液晶显示器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李珊	陕西科技大学电气与信息工程学院	7	15	3.0	3.0
2	王晓	陕西科技大学电气与信息工程学院	1	0	0.0	0.0
3	葛世民		1	0	0.0	0.0