飞秒激光烧蚀硅的瞬态演化特性仿真

• 作者: 孙晓泉 徐海萍 豆贤安
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 飞秒激光 激光烧蚀 冷破坏 硅 半导体
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 专题:脉冲功率激光
• 页码范围: 15-21
• 页数: 7页
• 分类号: TN249
• 字数: 4186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11887/j.cn.201804003

摘要

为深入揭示飞秒激光烧蚀硅的瞬态演化特性,建立了飞秒激光烧蚀硅材料理论模型,并进行了仿真研究.研究表明:飞秒激光可在脉宽时间内激发大量的电子,使其浓度超过损伤阈值,而此时晶格仍保持在较"冷"状态,直到1 ns量级才达到熔点温度;电子温度也会在脉宽时间内急剧拉升至104 K量级,随后将能量缓慢地释放给晶格,直到10 ns量级才与晶格达到热平衡.电子存在两次急剧升温的过程:第一次起于自由电子吸收,止于电子与晶格的能量耦合;第二次起于单光子和双光子吸收,止于脉冲结束.脉冲能量越大,电子密度和温度越高;脉宽越短,电子温度越高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓泉	国防科技大学脉冲功率激光技术国家重点实验室	9	9	1.0	2.0
2	豆贤安	国防科技大学脉冲功率激光技术国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
3	徐海萍	国防科技大学脉冲功率激光技术国家重点实验室	1	1	1.0	1.0