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摘要:
半导体太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种相干性好线宽窄的太赫兹辐射源,有潜力获得高的输出功率.采用基于非平衡格林函数(NEGF)方法的计算工具设计、生长、制备了基于砷化镓系材料的THz QCL.在10 K温度下,峰值功率达到270 mW,平均功率为2.4 mW,单位面积的输出功率与已报道的最高值相当.采用NEGF方法对器件的温度变化特性做了详细的分析.
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文献信息
篇名 高输出功率太赫兹量子级联激光器与温度特性
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 物理学
关键词 太赫兹 量子级联激光器 砷化镓
年,卷(期) 2018,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 513-517,522
页数 6页 分类号 O441
字数 1035字 语种 中文
DOI 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.05.001
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研究主题发展历程
节点文献
太赫兹
量子级联激光器
砷化镓
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
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3
总被引数(次)
28003
论文1v1指导