UV/SO32-体系还原降解全氟辛烷磺酸及其影响因素

• 作者: 何海洋 宋洲 方晓青 胡核 董学林
• 来源期刊: 环境化学
• 关键词: 全氟辛烷磺酸 紫外引发 亚硫酸盐 水合电子 还原降解 影响因素
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 720-730
• 页数: 11页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7524/j.issn.0254-6108.2017081304

摘要

采用水合电子(eaq-)的还原技术降解水中的全氟辛烷磺酸(PFOS).结果表明,不同体系PFOS降解的脱氟率如下:SO32-/N2＜UV/N2＜ UV/SO32-/O2＜ UV/SO322-/Air＜ UV/SO32-/N2,通过刃天青荧光探针实验证实与体系eaq-的生成量有关.PFOS降解的脱氟动力学满足PEK模型,其快反应与慢反应分别对应于PFOS支链异构体与直链异构体的降解.增加SO32-浓度可提高PFOS的脱氟率,碱性条件下的脱氟效果明显优于酸性和中性条件.此外,反应温度的提升可进一步提高PFOS的脱氟率.通过对中间产物的监测表明,除了端基断裂和氟原子直接脱除的方式外,PFOS亦可通过中间C-C键断裂的方式发生降解,从而使得短链全氟丙酸(PFPrA)和全氟丁酸(PFBA)的浓度明显高于其它产物.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董学林		22	63	6.0	6.0
2	宋洲		10	18	3.0	4.0
6	何海洋		8	22	3.0	4.0
7	方晓青		6	16	3.0	4.0
8	胡核		1	0	0.0	0.0