聚吡咯包覆NiCo2S4纳米管阵列的制备及其赝电容性能

• 作者: 孟凡英 许艳飞 郭绍义
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚吡咯 NiCo2S4 赝电容 纳米管
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 953-958
• 页数: 6页
• 分类号: TM912
• 字数: 3982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.06.018

摘要

使用两步水热法在泡沫镍表面生长NiCo2 S4纳米管阵列,再通过电化学聚合技术将聚吡咯包覆在NiCo2 S4纳米管表面形成核壳式复合材料.通过多种手段表征复合材料的物相与微结构,表明管外径约130nm,管壁厚约15nm,聚吡咯包覆膜平均厚度约8nm.研究聚吡咯包覆对NiCo2 S4纳米管赝电容性能的影响,揭示聚吡咯改善了NiCo2 S4纳米管的比电容、充放电性能、倍率性能和循环性能.放电比容量与未包覆的相比从1123F·g-1增长到1524F·g-1,增加了36％;3000次循环后,聚吡咯包覆NiCo2S4仍释放比容量1096F·g-1,相比于第一次的保持率为78.5％,而未包覆的比容量只有22％ 的保持率.赝电容性能的改善主要是由于聚吡咯提高了NiCo2 S4纳米管的电导率和结构稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭绍义	浙江理工大学机控学院	56	181	6.0	12.0
2	孟凡英		16	16	3.0	3.0
3	许艳飞		1	0	0.0	0.0