利用电热耦合效应的金属单点接触结构无源互调研究

• 作者: 崔万照 张松昌 徐卓 李军 贺永宁 赵小龙 高凡
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 无源互调 近场耦合 电热耦合 缝隙波导 电接触
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 页码范围: 76-81,117
• 页数: 7页
• 分类号: TN911.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201809010

摘要

针对现有无源互调(PIM)模型不能准确解释互调机理并描述测试规律的问题,提出了一种基于电热耦合效应的PIM产生机理和模型,并利用金属单点接触结构进行了实验验证.首先,提出了一种基于缝隙波导近场耦合的PIM测试方法,该方法使待测结构与测试工装分离,克服了传统PIM实验研究针对整体微波部件进行测试分析的限制,能够实现单个点接触结构的PIM效应研究;然后,对铝接触在不同状态下的表面成分和电接触特性进行研究,结果表明,金属表面存在的氧化层和沾污物是引起其接触结PIM产生与劣化的根本原因,微波辐照时电热耦合效应影响接触结的阻抗;最后,通过实验获取了铝、紫铜和黄铜等材料组成的单点接触结构的PIM.实验和理论结果表明,相对于传统的数学经验模型或多项式数学拟合,结合电热耦合的接触非线性模型从物理底层出发,对PIM的产生根源和机理给出了明确解释,能够更加准确地计算和预测PIM.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李军	西安交通大学电子与信息工程学院	263	2157	24.0	34.0
3	徐卓	西安交通大学电子与信息工程学院	106	610	13.0	18.0
4	贺永宁	西安交通大学电子与信息工程学院	58	265	9.0	12.0
5	高凡	西安交通大学电子与信息工程学院	21	108	6.0	10.0
6	崔万照		6	19	2.0	4.0
7	赵小龙	西安交通大学电子与信息工程学院	9	25	3.0	4.0
8	张松昌	西安交通大学电子与信息工程学院	5	6	1.0	2.0