普通单晶EL黑斑研究

• 作者: 李雪方 焦朋府 贾宇龙
• 来源期刊: 山西化工
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶 黑斑 疏水性 浓度
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 专题讨论
• 页码范围: 87-88
• 页数: 2页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16525/j.cnki.cn14-1109/tq.2018.05.29

摘要

研究了普通单晶EL黑斑的主要形成原因,并针对此做了工艺调整.实验结果表明:制绒后硅片上的水滴在自然晾干条件下,扩散烧焦和EL黑斑明显,普通单晶的EL黑斑主要为制绒硅片疏水性差造成,调整制绒酸洗槽浓度、热水时间及烘干炉时间,EL黑斑比例下降了0.14％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾宇龙		7	3	1.0	1.0
2	焦朋府		14	3	1.0	1.0
3	李雪方		7	2	1.0	1.0