无机纳米掺杂对聚酰亚胺绝缘性能影响

• 作者: 俞孝峰 吴广宁 吴旭辉 张兴涛 朱健 杨雁 钟鑫
• 来源期刊: 高压电器
• 关键词: PI/SiO2膜 PI/Al2O3膜 电导率 热失重 击穿电压 方波脉冲 耐电晕
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 164-169,176
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13296/j.1001-1609.hva.2018.04.024

摘要

为了研究无机纳米粒子掺杂对聚酰亚胺(polyimide,PI)绝缘性能影响,文中利用原位聚合法制备了PI、10％(质量百分数)的PI/SiO2膜和PI/Al2O3膜,测试了其电导率(表面、体积电导率)、热失重(TGA)以及击穿场强,并得到了方波脉冲电压下耐电晕时间随温度的变化曲线.结果表明:PI/SiO2膜、PI/Al2O3膜、PI膜的电导率依次降低,而击穿场强则相反;当失重5％时,PI/Al2O3膜和PI/SiO2膜的热分解温度比纯PI腆分别高了17.5℃和ll℃.随着温度的升高,3种薄膜的耐电晕时间都在减小,且2种纳米膜的耐电晕时间都高于纯PI膜;当温度小于210℃时,由于PI/SiO2膜的电导率最高,所以其耐电晕时间最长;当温度大于210℃时,由于PI/Al2O3膜的热导率最高以及热稳定性最好,所以其耐电晕时间最长.无机纳米粒子引入的有机—无机界面以及纳米粒子的高热稳定性是影响PI膜绝缘性能的主要原因.研究为变频电机的匝间绝缘水平的提高提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴广宁		458	6939	39.0	56.0
2	张兴涛		11	13	2.0	3.0
3	杨雁		15	13	2.0	3.0
4	钟鑫		15	32	3.0	5.0
5	吴旭辉		12	13	2.0	3.0
6	朱健		8	27	3.0	5.0
7	俞孝峰		4	4	1.0	2.0