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摘要:
在超大规模集成电路中,为满足数值孔径为1.35、波长为193 nm的光刻曝光系统45 nm的成像分辨率要求,设计了一种新型光可变衰减器,用于控制系统的光能透射率,调整曝光能量.该衰减器在光入射角为20°~40°时,衰减面的平均透射率呈线性变化并从95%降低至8%,同时保证其余三个表面的光能损失均低于1%.设计和制作了光可变衰减器的光学薄膜,其基底材料选择熔融石英,膜层材料采用LaF3和AlF3.实验测试了光可变衰减器系统性能,测试结果显示该系统的光能透射率在8%~90%范围内连续可调,实验结果满足设计要求.与传统光可变衰减器相比,该系统可调制衰减范围更大,衰减量更稳定,具有一定的应用价值.
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文献信息
篇名 光刻曝光系统中新型光可变衰减器的研制
来源期刊 中国激光 学科 物理学
关键词 薄膜 深紫外光刻 光可变衰减器 截止滤光膜 光学镀膜
年,卷(期) 2018,(1) 所属期刊栏目 材料与薄膜
研究方向 页码范围 129-134
页数 6页 分类号 O436
字数 语种 中文
DOI 10.3788/CJL201845.0103002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 董连和 45 151 7.0 11.0
2 王丽 32 34 3.0 4.0
3 李美萱 22 61 4.0 7.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
薄膜
深紫外光刻
光可变衰减器
截止滤光膜
光学镀膜
研究起点
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中国激光
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1974
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