In0.53 Ga0.47 As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性

• 作者: 代盼 吴渊渊 李雪飞 杨文献 肖梦 肖清泉 袁正兵 谢泉 谭明 陆书龙
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 雪崩光电二极管 低暗电流 宽响应范围 分子束外延 Zn扩散
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 探测器
• 页码范围: 107-112
• 页数: 6页
• 分类号: TN364
• 字数: 2642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20184703.0304002

摘要

通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In0.53 Ga0.47 As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下,器件暗电流小于10 nA;-5 V偏压下电容密度低至1.43×10-8 F/cm2.在1310nm红外光照及30 V反向偏置电压下,雪崩光电二极管器件的响应范围为50nW～20 mW,响应度达到1.13A/W.得到了电荷层掺杂浓度、倍增区厚度结构参数与击穿电压和贯穿电压的关系:随着电荷层电荷密度的增加,器件贯穿电压线性增加,而击穿电压线性降低;电荷层电荷面密度为4.8×1012cm-2时,随着倍增层厚度的增加,贯穿电压线性增加,击穿电压增加.通过对器件结构优化,雪崩光电二极管探测器实现25V的贯穿电压和57V的击穿电压,且具有低暗电流和宽响应范围等特性.