第三代半导体材料SiC平坦化技术的研究现状

• 作者: 韩润龙
• 来源期刊: 当代化工研究
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 化学机械抛光 半导体材料 平坦化
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 技术应用与研究
• 页码范围: 73-75
• 页数: 3页
• 分类号: T
• 字数: 3908字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8114.2018.11.041

摘要

在半导体工业中,SiC由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等优良特性,成为了该领域最有发展前景的材料之一.然而,SiC材料硬脆性和化学惰性的特点,针对它的平坦化一直是SiC单晶材料制造的难点并在一定程度上制约着半导体芯片集成技术的发展.为获得理想的表面质量、实现有效的材料去除和平坦化加工,国内外学者提出了许多加工方法.本文结合超光滑表面抛光加工的目标,主要针对加工精度和平坦化加工效果较好、应用较广的磨粒加工、化学机械抛光、磁流变抛光方法的原理特点及存在问题进行归纳分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩润龙		1	2	1.0	1.0