慧荣科技荣获全球双峰会“2018全球电子成就奖之年度存储器”大奖

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 存储器 控制器 成就奖
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 页码范围: 7-7
• 页数: 1页
• 分类号: TP333-19

摘要

2018年11月9日,中国深圳——在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corp., NasdaqGS:SIMO)日前荣获全球双峰会所颁发的'2018全球电子成就奖之年度存储器',以表彰其多年来在NAND控制器领域所做出的杰出贡献。