γ射线辐照快速生长KDP晶体的性能

• 作者: 朱茂东 王斌 王虎 谢晓义 邵建达 齐红基
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 KDP晶体 连续过滤 射线辐照 激光损伤阈值 晶体改性
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与薄膜
• 页码范围: 143-149
• 页数: 7页
• 分类号: O77+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201845.1003004

摘要

采用连续过滤快速横向生长技术,有效增大了磷酸二氢钾(KDP)晶体的Z向长度,提高了单位晶体Ⅱ类元件的切片率.使用不同剂量的γ射线辐照Ⅱ类晶体坯片后,测试其光学性能与抗激光损伤阈值.研究结果显示,不同剂量的γ射线辐照不会改变晶格内部的振动模式,但会降低912 cm-1处的晶格振动强度;γ射线辐照诱导缺陷的种类不变,但随着辐照剂量的增大,缺陷浓度增大;晶体坯片的损伤阈值随着辐照剂量的增大而减小.