基于激光诱导击穿光谱技术的铜铟镓硒纳米薄膜的分析探测研究

• 作者: 付圣贵 修俊山 刘世明 刘云燕 汪涛 王琨琨
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 化学
• 关键词: 光谱学 激光诱导击穿光谱 薄膜分析 铜铟镓硒 磁控溅射 光学禁带宽度
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 光谱学
• 页码范围: 286-292
• 页数: 7页
• 分类号: O657.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201845.1211002

摘要

铜铟镓硒薄膜中4种元素的含量比对薄膜的性能有非常大的影响.采用磁控溅射方法在不同工作气压下制备了铜铟镓硒薄膜,利用激光诱导击穿光谱(LIBS)技术实现了铜铟镓硒薄膜中Ga含量与(In+Ga)含量之比以及Cu含量与(In+Ga)含量之比的定量分析.分析了不同工作气压下制备的铜铟镓硒薄膜中元素谱线的强度,结果表明:IG a/I(ln+Ga)与薄膜的禁带宽度是对应的,均随工作气压的增加而先增大后减小,当工作气压为2.0 Pa时,获得了最大的薄膜禁带宽度;ICu/I(ln+Ga)与能谱仪测得的浓度变化一致.LIBS技术能够实现薄膜中元素含量比例的快速检测,不同元素谱线强度的相对比值能够间接反映薄膜中元素含量的比值,验证了LIBS技术在薄膜分析方面的潜力,为优化磁控溅射制备铜铟镓硒薄膜的工作参数提供了方法和技术支持.