非共振圆偏振光作用下单层二硫化钼电子结构及其自旋/谷输运性质

• 作者: 左敏 廖文虎 张新成
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二硫化钼 非共振圆偏振光 电子结构 自旋/谷霍尔电导
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 173-181
• 页数: 9页
• 语种: 中文

摘要

基于紧束缚近似下的低能有效哈密顿模型和久保线性响应理论,研究了外部非共振圆偏振光作用下单层二硫化钼(MoS2)电子结构及其自旋/谷输运性质.研究结果表明:单层MoS2布里渊区K谷和K′谷附近自旋依赖子带间的能隙随着非共振右旋圆偏振光引起的有效耦合能分别线性增大和先减小后增大,随着非共振左旋圆偏振光引起的有效耦合能分别先减小后增大和线性增大,实现了系统能带结构有趣的半导体-半金属-半导体转变.此外,单层MoS2在外部非共振圆偏振光作用下,呈现有趣的量子化横向霍尔电导和自旋/谷霍尔电导,自旋极化率在非共振右/左旋圆偏振光有效耦合能±0.79 eV附近达到最大并发生由正到负或由负到正的急剧转变,谷极化率随着非共振圆偏振光有效耦合能先增大后减小并在其绝对值0.79—0.87 eV范围内达到100％.因而,可以利用外部非共振圆偏振光将单层MoS2调制成自旋/谷以及光电特性优异的新带隙材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖文虎	吉首大学物理与机电工程学院	12	4	2.0	2.0
2	张新成	吉首大学物理与机电工程学院	2	0	0.0	0.0
3	左敏	吉首大学物理与机电工程学院	2	0	0.0	0.0