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摘要:
通过磁控溅射技术制备了非晶态富硅的碳化硅锗(Sil-x-yGexCy)薄膜,经过后续高温热处理,形成各向异性硅纳米晶,其微结构和光学特性由高分辨电镜、光致发光及光吸收实验进行表征,研究了各向异性应变对硅纳米晶形态和光学特性的影响,阐述了各向异性硅纳米晶的形成机理.研究表明,在各向异性应变能的诱导下硅纳米晶沿着〈002〉、〈113〉和〈220〉取向择优生长,形成具有多形态的硅纳米晶,显著改变了其能级结构,在2.57 eV和2.64 eV的位置硅纳米晶存在PL发射光谱,光吸收波段明显增加,可以同时吸收从红外到紫外(2.57 eV,1.89 eV,1.2 eV和0.96 eV)的光子,且光吸收范围随硅锗(RS/G)比例可调,故有望提高光伏电池的光量子产额.
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文献信息
篇名 微应变诱导各向异性硅纳米晶形成及其光学特性
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 硅纳米晶 各向异性 微观结构 光致发光 光伏电池
年,卷(期) 2018,(18) 所属期刊栏目 无机非金属及其复合材料
研究方向 页码范围 3104-3109
页数 6页 分类号 TB321|O765
字数 4091字 语种 中文
DOI 10.11896/j.issn.1005-023X.2018.18.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐可为 西安文理学院陕西省再制造与表面工程技术重点实验室 238 3333 30.0 44.0
5 马飞 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室 14 20 3.0 4.0
6 畅庚榕 西安文理学院陕西省再制造与表面工程技术重点实验室 7 5 1.0 2.0
7 刘明霞 西安文理学院陕西省再制造与表面工程技术重点实验室 3 1 1.0 1.0
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硅纳米晶
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微观结构
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材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
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16557
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