MoSi2和(Mo,W)Si2涂层的宽温域氧化过程

• 作者: 张世宏 李海庆 杨英 毛绍宝
• 来源期刊: 过程工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: W掺杂 MoSi2涂层 高温氧化 “Pest”效应 宽温域
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 材料工程
• 页码范围: 826-835
• 页数: 10页
• 分类号: TB34
• 字数: 4902字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12034/j.issn.1009-606X.218310

摘要

采用包渗法在Mo及Mo-W基体上分别制备MoSi2及(Mo,W)Si2涂层,研究了W掺杂对MoSi2涂层抗氧化性能的影响规律和作用机理.结果 表明,W元素固溶到MoSi2涂层中,形成(Mo,W)Si2固溶体,涂层微观结构更加致密化.在1600℃高温下静态氧化,(Mo,W)Si2涂层抗氧化失效时间长达70 h,1 200℃下氧化1000 h仍具有良好的防护性能,抗氧化性能大幅提升.加入W元素阻碍了Si元素与基体间的扩散反应,降低了涂层中Si元素的消耗速率,显著增强了(Mo,W)Si2涂层抗高温氧化性能.在500℃低温下静态氧化50h,与MoSi2涂层相比,(Mo,W)Si2涂层氧化产生明显的“Pest”现象,涂层严重粉化失效.加入W元素降低了涂层中Si元素的扩散速率,导致低温下涂层表面无法形成致密氧化层,加剧涂层的快速氧化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张世宏	安徽工业大学材料科学与工程学院	31	139	7.0	11.0
5	毛绍宝	安徽工业大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
9	杨英	安徽工业大学现代表界面工程研究中心	1	0	0.0	0.0
10	李海庆	中国运载火箭技术研究院航天材料及工艺研究所	1	0	0.0	0.0