基于iOS的高速存储电路设计与实现

• 作者: 刘文生 钟云飞 陈德庆
• 来源期刊: 湖南工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 数据采集 高速电路 NANDFlash eMMCFlash 双通道
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 信息技术
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: TP333
• 字数: 2644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9833.2019.02.007

摘要

为了解决iOS移动设备外部存储器件传输速度及存储容量的问题,设计了一套适用iOS的外设高速存储电路.通过采用兼容USB2.0的数据高速传输和处理技术USB3.1标准,以提高传输速度;使用Flash Raid技术进行读写管理,将NAND和eMMC Flash芯片的数据并行传输和管理技术进行集成,实现双Flash芯片同步读写的双通道数据高速传输与存储,并内置多种容错机制.实验结果表明,重新设计的高速存储电路可适应和扩展外设存储容量,还可提升读写速度,其在iOS端的读写速度达到25,16 MB/s,实现了iOS移动设备外部存储高速传输与存储目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟云飞		37	90	5.0	8.0
3	陈德庆		1	0	0.0	0.0
4	刘文生		1	0	0.0	0.0