高临界电流密度NbN约瑟夫森结的制备和特性表征

• 作者: 唐鑫 张栖瑜 王会武 王镇
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 约瑟夫森结 NbN结 临界电流密度
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 368-371
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13380/j.ltpl.2019.05.007

摘要

我们开展了高临界电流密度的NbN约瑟夫森结的制备和特性研究.利用直流磁控溅射方法在单晶MgO(100)衬底上外延生长NbN/AlN/NbN三层膜,并使用微加工工艺制备了NbN约瑟夫森隧道结,在液氦温度下对NbN约瑟夫森结的电流-电压特性进行了测量,实验结果表明,NbN约瑟夫森结具有良好的隧穿特性,其临界电流密度Jc为10kA/cm2,质量因子大于10,能隙是5.7 mV,这些实验结果为基于NbN结的超导数字电路研究奠定了坚实的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王镇	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	6	4	2.0	2.0
2	王会武	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	4	1	1.0	1.0
3	唐鑫	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	1	0	0.0	0.0
4	张栖瑜	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	1	0	0.0	0.0