铜互连CMP中BTA的缓蚀机理及Cu-BTA的去除研究进展

• 作者: 刘孟瑞 刘玉岭 孙晓琴 檀柏梅 牛新环 高宝红 高鹏程
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 苯并三唑(BTA) 铜 缓蚀 Cu-BTA 化学机械抛光(CMP)
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 1010-1015,1027
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.12.011

摘要

铜具有低电阻率和高抗电迁移性,是目前极大规模集成电路的主流金属互连材料.化学机械抛光(CMP)是实现铜表面局部与全局平坦的关键工艺.为获得铜互连较高的凹凸材料去除速率选择比,通常需在CMP抛光液中加入缓蚀剂苯并三唑(BTA),而CMP后铜表面的BTA残留需要在后续的清洗工艺中进行有效的去除.对铜互连CMP中BTA对铜的腐蚀抑制机理的研究进行了归纳分析,并对BTA与其他试剂协同抑制铜腐蚀的研究进行了讨论,进而论述了碱性清洗液对Cu-BTA络合物去除的研究进展,并概述了新型缓蚀剂的研究现状,最后对缓蚀剂未来的研究方向进行了展望.