存储器抗辐射加固的矩阵纠错码研究

• 作者: 施宇根 李少甫 齐艺轲
• 来源期刊: 中国空间科学技术
• 学科: 工学
• 关键词: 存储器 抗辐射加固 可靠性 纠错码 矩阵纠错码 多位翻转
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 67-72,86
• 页数: 7页
• 分类号: T N431 2.
• 字数: 4067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16708／j.cnki.1000-758X.2018.0070

摘要

为了纠正辐射环境中的高能粒子对存储器造成的多位翻转,研究了一种矩阵纠错码电路,对存储器进行有效的抗辐射加固.提出了一种矩形循环校验法构造校验位,并设计了纠错码的译码算法和相应的译码电路.根据校验位构造了检测位.对数据的输入顺序进行排列,确保了冗余位发生翻转时纠错码电路仍可以正常工作.在16位宽的码字中,所研究的矩阵纠错码可以纠正数据宽度为5位的多位翻转.同目前已知的二维纠错码在相同条件下进行比较,其获得了更高的平均失效时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	齐艺轲	西南科技大学信息工程学院	3	0	0.0	0.0
2	施宇根	西南科技大学信息工程学院	2	0	0.0	0.0