硫化物钝化对InAs纳米线光学特性的影响

• 作者: 李世民 李宝宝 李生娟 王兴军 陈刚
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化铟纳米线 硫化物 表面态 光致发光
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 591-597
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.05.008

摘要

针对InAs纳米线表面氧化造成的发光效率低的问题,采用十八硫醇和硫化铵钝化了由化学气相沉积设备生长的闪锌矿结构的InAs纳米线.对硫化物钝化前后的InAs纳米线进行温度依赖的光致发光光谱测试.实验结果表明,十八硫醇和硫化铵钝化的InAs纳米线在25K温度下的发光效率与未钝化的InAs纳米线相比分别提高了～6倍和～7倍,此外,可以在室温下探测到硫化铵钝化的InAs纳米线的光致发光,这为未来基于InAs纳米线的中红外纳米光子器件提供了可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈刚	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	183	1886	20.0	37.0
2	李生娟	上海理工大学材料科学与工程学院	65	192	7.0	12.0
3	李世民	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	2	41	1.0	2.0
4	李宝宝	上海理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
5	王兴军	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0