碲锌镉室温核辐射探测器性能的研究

• 作者: 吴召平 郑伟
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体晶体 核辐射探测 碲锌镉
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 创新应用
• 页码范围: 37-38
• 页数: 2页
• 分类号: TN407|TL81
• 字数: 1452字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.04.011

摘要

研究碲锌镉室温半导体晶体用于核辐射探测器的器件制备过程及其性能与工艺参数的相关性.在探测器的研制过程中,发现晶体的表面化学抛光对探测器特性有较大的影响,它能有效降低碲锌镉探测器的漏电流,提高探测器性能.载流子迁移率和寿命的乘积为1.0 E-3 V/cm,由此晶体制备的探测器有效地探测了Co-57 122 keV的能谱,满足核辐射探测器的应用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑伟		2	0	0.0	0.0
2	吴召平		2	0	0.0	0.0