二氧化硅膜厚标准样片的研制与评价?

• 作者: 付少辉 李锁印 梁法国 赵琳 韩志国
• 来源期刊: 计算机与数字工程
• 学科: 工学
• 关键词: 膜厚标准样片 热氧化 等离子化学气相淀积 均匀性 稳定性
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 专栏·微电子计量测试
• 页码范围: 5-8,56
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9722.2019.01.002

摘要

介绍了二氧化硅膜厚标准样片的用途及国内研制样片的情况,设计了二氧化硅膜厚样片的制作版图,分别采用热氧化和等离子化学气相淀积(PECVD)工艺制备了厚度为10nm~1000nm的硅上二氧化硅膜厚样片.以10nm、1000nm为例对样片的薄膜厚度、均匀性、稳定性进行了考核.结果表明,热氧化工艺制备的膜厚样片质量优于PECVD工艺制备的膜厚样片,研制的膜厚样片的膜厚量值与设计值基本一致,稳定性好,与美国VLSI公司的相同膜厚的膜厚标准样片相比,采用热氧化工艺制作的二氧化硅膜厚样片的均匀性与VLSI样块评价测量结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁法国	中国电子科技集团公司第十三研究所	54	104	5.0	7.0
2	李锁印	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	40	3.0	5.0
3	韩志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	20	26	3.0	4.0
4	赵琳	中国电子科技集团公司第十三研究所	20	27	3.0	3.0
5	付少辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	2	1.0	1.0