三模冗余在高性能抗辐射DSP中的应用

• 作者: 刘小明 胡孔阳 胡海生
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单粒子翻转 DSP 存储器加固 自刷新 三模冗余
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 页码范围: 58-60
• 页数: 3页
• 分类号: TP302
• 语种: 中文

摘要

单粒子翻转(SEU,single event upset)是当高能粒子击中半导体元器件时,引起逻辑发生"0""1"改变,进而导致逻辑错误的现象.在诸如外太空等电磁辐射恶劣的环境中,芯片常常会受到SEU的破坏,由于高性能的DSP规模较大,这种情况发生的概率会更高.针对SEU发生的原理,在抗辐射DSP结构上可以采取多种加固技术.本文基于国产高性能DSP"魂芯"的架构,从可测性和工程性的角度出发,提出了对片上SRAM存储器的加固方案.通过对SRAM采用自刷新和三模冗余技术,可以对SEU进行有效的抑制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘小明	中国电子科技集团公司第三十八研究所	12	38	3.0	6.0
2	胡孔阳	中国电子科技集团公司第三十八研究所	7	10	2.0	2.0
3	胡海生	中国电子科技集团公司第三十八研究所	9	17	2.0	3.0