化学气相沉积钨中氘热脱附特性的定量分析

• 作者: 冯春蓉 叶小球 吴吉良 宋久鹏 李强 杨蕊竹 王雪峰 谌晓洪 饶咏初
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积钨(CVD-W) 氘滞留 等离子体辐照 热脱附谱(TDS)
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 核材料专题
• 页码范围: 91-95
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.4|TL62
• 语种: 中文
• DOI: 10.13289/j.issn.1009-6264.2019-0372

摘要

利用不同升温速率的热脱附谱法(TDS)研究了化学气相沉积钨(CVD-W)经70 eV/D、1.3×1025D/m2的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性.结果 表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量在1019 D/m2量级;氘的脱附温度区间为400 ～800 K;脱附总量与升温速率呈负相关,且脱附温度区间会随着升温速率提高而向高温区漂移;CVD-W中氘的主要俘获位为位错或晶界,氘的脱附活化能为0.88 eV,缺陷激活能为0.81 eV.