结构化晶圆表面厚胶喷涂工艺

• 作者: 李宝霞 杨芳 武忙虎 王勋 王浩亮 翟鑫月
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 喷胶 AZ4620光刻胶 硅通孔(TSV) 胶颗粒粒径 台阶覆盖率
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 933-938
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.11.010

摘要

采用超声雾化喷涂技术,以AZ4620光刻胶为研究对象,以硅通孔(TSV)刻蚀后的硅片为基材,在12英寸(1英寸=2.54 cm)结构化晶圆表面喷涂光刻胶形成薄膜.分别研究了稀释质量比、超声功率、氮气体积流量、喷嘴与晶圆表面的间距、载台温度等工艺参数对TSV硅片表面喷涂质量的影响,最终通过优化过程工艺参数,得到表面胶颗粒细小、膜厚均匀性好、台阶覆盖率高的涂覆刻蚀片.实验结果表明,超声雾化喷涂法可以很好地应用于三维结构表面涂覆,克服了旋涂方法在三维结构应用中带来的缺陷,同时有效地提高了光刻胶的利用率,在集成电路(IC)制造和微电子机械系统(MEMS)工艺中有着广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨芳		1	0	0.0	0.0
2	武忙虎		1	0	0.0	0.0
3	王浩亮		1	0	0.0	0.0
4	翟鑫月		1	0	0.0	0.0
5	王勋		1	0	0.0	0.0
6	李宝霞		3	0	0.0	0.0