钨材料中不同来源缺陷对氢同位素滞留影响的最新进展

• 作者: 吴婧 念飞飞 李克栋 李小椿 杨钟时 濮阳寿安 罗广南 解玉栋
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢同位素 缺陷 钨材料 滞留
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 核材料专题
• 页码范围: 30-41
• 页数: 12页
• 分类号: TG146.4|TL62
• 字数: 8226字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13289/j.issn.1009-6264.2019-0332

摘要

钨材料中不同来源缺陷对氢同位素滞留的影响是目前聚变材料研究领域的关键问题,本文主要介绍了材料本身固有缺陷、不同类型等离子辐照导致的缺陷和中子辐照导致的缺陷等,分别总结了上述不同来源缺陷对于钨中氢同位素滞留情况的研究进展,为以后相关研究方向提供参考.