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摘要:
针对电磁干扰(EMI)导致电子系统关键功能单元行为失效或安全问题,研究基于供电网络传导耦合的核心可编程集成电路(IC)电磁敏感(EMS)特性.分析典型FPGA供电网络的拓扑结构及其EMI传导耦合机理,设计基于EMI直接功率注入法的敏感度测试平台,测试受试芯片供电网络EMI传导耦合时典型功能单元的EMS特性,获取输入输出端口(IO)、逻辑单元(LE)、内部锁相环电路(PLL)等功能单元的敏感度阈值,给出LE冗余设计对相应电路EMS特性的影响规律.结果表明,在10 MHz~1 GHz干扰频率范围内,供电网络EMI敏感度由高到低依次为PLL,LE,IO,且IC地网络EMI敏感度高2~7 dBmW,LE冗余设计能有效改善逻辑功能单元电磁敏感度.
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文献信息
篇名 基于供电网络传导耦合的FPGA电磁敏感特性分析
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 供电网络 电磁敏感度 电磁兼容 集成电路 直接功率注入
年,卷(期) 2019,(2) 所属期刊栏目 复杂电磁环境
研究方向 页码范围 60-66
页数 7页 分类号 TN973
字数 2936字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201931.180322
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 余道杰 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学信息系统工程学院 2 3 1.0 1.0
2 程俊平 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学信息系统工程学院 1 3 1.0 1.0
3 周长林 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学信息系统工程学院 1 3 1.0 1.0
4 徐志坚 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学信息系统工程学院 1 3 1.0 1.0
5 张栋耀 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学信息系统工程学院 1 3 1.0 1.0
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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9833
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7
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61664
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