Fe3O4/羧酸分子界面处氧含量对自旋界面的影响

• 作者: 王申 魏珉
• 来源期刊: 山西大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 自旋界面 Fe3O4 有机自旋输运 隧穿磁电阻
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 873-877
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 字数: 2765字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13451/j.cnki.shanxi.univ(nat.sci.).2019.03.29.001

摘要

大量工作表明铁磁金属/有机分子组成的界面具有十分丰富的物理特性,是有机自旋电子学的重要研究内容.然而铁磁金属表面极易氧化,从而极大地影响界面上的自旋输运,镧锶锰氧又因其居里温度较低,很难实现室温工作.文章利用自组装的方法分别在大气环境和氮气环境下制备了Fe3O4/烷基羧酸分子界面,证明了其自旋界面在0.5％的误差范围内没有受到氧化的影响,十分稳定,同时也能够在室温下稳定工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王申	山西大学物理电子工程学院	2	0	0.0	0.0
2	魏珉	山西大学物理电子工程学院	1	0	0.0	0.0