MI3(M=Bi,Sb,As)弹性和电子性质的第一性原理研究

• 作者: 孙霄霄
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 MI3 弹性性质 电子结构
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 110-116
• 页数: 7页
• 分类号: O482
• 字数: 4822字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势计算方法,对比研究了菱方结构MI3(M=Bi,Sb,As)的弹性和电子性质.结果表明:SbI3的生成焓最低,较BiI3、AsI3更易生成.这三种材料都体现了弹性各向异性特征.SbI3是偏延性材料,BiI3和AsI3是脆性材料.高压下AsI3更容易被压缩.德拜温度的大小关系依次为SbI3>BiI3>AsI3.MI3(M=Bi,Sb,As)都是间接带隙半导体,电子的局域程度较强.在费米能级附近,I-5p轨道电子和金属M-s轨道电子发生杂化,形成共价键.MI3(M=Bi,Sb,As)中的化学键是共价键和离子键的混合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙霄霄	牡丹江师范学院物理与电子工程学院	16	13	2.0	3.0