热扩散阴极微区热电子发射特征研究

• 作者: 任峰 卢志鹏 李阳 金鹤 阴生毅 高向阳
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 热扩散阴极 光发射电子显微镜 热发射电子显微镜
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 21届电子学会年会优秀青年论文
• 页码范围: 33-37
• 页数: 5页
• 分类号: O462
• 字数: 3340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2019.03.08

摘要

在微米尺度开展热扩散阴极热电子发射特征研究,对了解阴极电子发射过程和理解阴极发射机理有一定的参考价值.本文利用深紫外激光光发射/热发射电子显微镜系统,对浸渍钡钨阴极、覆膜浸渍扩散阴极、浸渍钪酸盐阴极以及新型浸渍钪型阴极,开展了光电子、热电子显微成像分析.结果 显示,浸渍钡钨阴极的热电子发射区域主要位于表面局部孔隙中;覆膜浸渍扩散阴极的电子发射区域沿孔隙向覆膜的钨颗粒表面延伸,阴极发射面积明显增加;浸渍钪酸盐阴极与新型浸渍钪型阴极表面拥有一定数量的高发射点,浸渍钪酸盐阴极的高发射点几乎都分布在阴极表面的钨颗粒边缘,而新型浸渍钪型阴极的高发射点不仅存在于钨颗粒边缘,同时也出现在部分钨颗粒表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阴生毅	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室	18	101	6.0	9.0
2	任峰	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室	4	7	1.0	2.0
3	李阳	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室	52	232	8.0	14.0
4	卢志鹏	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室	2	0	0.0	0.0
8	高向阳	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室	6	29	1.0	5.0