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摘要:
空穴注入层(HIL)在量子点发光二极管(QLEDs)中有重要作用.使用低温溶液法制作了MoOx纳米颗粒,将其在氧化铟锡(ITO)玻璃上旋涂成膜后使用不同温度进行退火处理,并作为空穴注入层进行量子点发光二极管的制作.实验结果表明,氧化钼薄膜有着与ITO玻璃阳极和Poly-TPD空穴传输层匹配的能级,可用作量子点发光二极管的空穴注入层,而使用经100℃退火处理后的MoOx薄膜作为空穴注入层的器件性能最佳:器件启亮电压为2.5 V,最高外量子效率为11.6%,在偏压为10 V时,器件的最高亮度达到27100 cd/m2.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 低温溶液法制备氧化钼及其在QLEDs中的应用
来源期刊 太赫兹科学与电子信息学报 学科 工学
关键词 氧化钼 低温溶液法 量子点 纳米颗粒 发光二极管
年,卷(期) 2019,(3) 所属期刊栏目 微电子、微系统与物理电子学
研究方向 页码范围 519-523
页数 5页 分类号 TN304.2
字数 3348字 语种 中文
DOI 10.11805/TKYDA201903.0519
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氧化钼
低温溶液法
量子点
纳米颗粒
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研究起点
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期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
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