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低温溶液法制备氧化钼及其在QLEDs中的应用
低温溶液法制备氧化钼及其在QLEDs中的应用
作者:
张婷婷
张芹
李凤
李清华
杨培志
熊楠菲
顾小兵
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氧化钼
低温溶液法
量子点
纳米颗粒
发光二极管
摘要:
空穴注入层(HIL)在量子点发光二极管(QLEDs)中有重要作用.使用低温溶液法制作了MoOx纳米颗粒,将其在氧化铟锡(ITO)玻璃上旋涂成膜后使用不同温度进行退火处理,并作为空穴注入层进行量子点发光二极管的制作.实验结果表明,氧化钼薄膜有着与ITO玻璃阳极和Poly-TPD空穴传输层匹配的能级,可用作量子点发光二极管的空穴注入层,而使用经100℃退火处理后的MoOx薄膜作为空穴注入层的器件性能最佳:器件启亮电压为2.5 V,最高外量子效率为11.6%,在偏压为10 V时,器件的最高亮度达到27100 cd/m2.
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文献信息
篇名
低温溶液法制备氧化钼及其在QLEDs中的应用
来源期刊
太赫兹科学与电子信息学报
学科
工学
关键词
氧化钼
低温溶液法
量子点
纳米颗粒
发光二极管
年,卷(期)
2019,(3)
所属期刊栏目
微电子、微系统与物理电子学
研究方向
页码范围
519-523
页数
5页
分类号
TN304.2
字数
3348字
语种
中文
DOI
10.11805/TKYDA201903.0519
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节点文献
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低温溶液法
量子点
纳米颗粒
发光二极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
主办单位:
中国工程物理研究院电子工程研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
2095-4980
CN:
51-1746/TN
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919信箱532分箱
邮发代号:
62-241
创刊时间:
2003
语种:
chi
出版文献量(篇)
3051
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11167
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