高边缘击穿和扩展光谱的圆形单光子雪崩二极管

• 作者: 彭亚男 彭艳 曾朵朵 杨红姣 罗均 蒲华燕 金湘亮
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单光子雪崩二极管(SPAD) 边缘击穿 暗计数率 光谱扩展
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 页码范围: 403-407
• 页数: 5页
• 分类号: TN313
• 字数: 748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.04.002

摘要

介绍了一种0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的新型宽光谱荧光相关谱探测器,其为高边缘击穿、扩展光谱和低暗计数率的圆形单光子雪崩二极管(SPAD).该器件由p+/deep n-well结,p-well保护环和多晶硅保护环组成.通过Silvaco TCAD 3D器件仿真,直径为10 μm的圆形p+/deep n-well SPAD器件具有较高边缘击穿特性.此外,p+/deep n-well结SPAD比p+/n-well结SPAD具有更长的波长响应和扩展光谱响应范围.该器件在0.5V过量偏压下,可在490～775 nm波长范围内实现超过40％的光子探测率.该圆形p+/deep n-well SPAD器件在25℃时具有较好雪崩击穿为15.14 V,具有较低暗计数率为638 Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗均	上海大学机电工程与自动化学院	82	634	13.0	21.0
2	彭艳	上海大学机电工程与自动化学院	26	124	7.0	11.0
3	金湘亮	湘潭大学物理与光电工程学院	50	124	6.0	8.0
5	蒲华燕	上海大学机电工程与自动化学院	10	26	2.0	5.0
6	杨红姣	湘潭大学物理与光电工程学院	9	39	4.0	6.0
9	彭亚男	湘潭大学物理与光电工程学院	2	0	0.0	0.0
10	曾朵朵	湘潭大学物理与光电工程学院	2	0	0.0	0.0